Transistor de potência NPN de silício A12
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O transistor de potência NPN de silício é encapsulada numa embalagem de plástico, e é usado principalmente para circuitos de comutação de potência de alta velocidade.
Classificação máxima absoluta (TA=25℃)| Parâmetros | Simbolo | Valor | Unidade |
| Tensão de coletor base | VCBO | 700 | V |
| Tensão de coletor emissor | VCEO | 400 | V |
| Tensão de emissor base | VEBO | 9 | V |
| Correnrte coletor | IC | 8.0 | A |
| Corrente base | IB | 4 | A |
| Dissipação de potência total | Ptot | 80 | W |
| Temperatura de junção de operação máxima | TJ | 150 | ℃ |
Caracteristicas elétricas (TA=25℃)
| Parâmetros | Simbolo | Condições de teste | Min. | Tipo | Max. | Unidade |
| Corte de corrente de coletor | ICBO | VCE=700V, IE=0 | - | - | 1.0 | mA |
| Corte de corrente do emissor | IEBO | VEB=9V, IC=0 | - | - | 1.0 | mA |
| Tensão de suporte do coletor emissor | VCEO(sus) | IC=10mA, IB=0 | 400 | - | - | V |
| Ganho de corrente DC | hFE(1) | VCE=5V, IC=2.0A | 8 | - | 40 | - |
| hFE(2) | VCE=5V, IC=2.0A | 6 | - | 30 | - | |
| Tensão de saturação de coletor emissor | VCE(sat) | IC=8.0A, IB=2.0A | - | - | 3.0 | V |
| IC=5.0A, IB=1.0A | - | - | 1.5 | |||
| Tensão de saturação de emissor base | VBE(sat) | IC=5.0A, IB=1.0A | - | - | 1.6 | V |
| Ganho de corrente do produto de banda larga | fT | VCE=10V, IC=0.5A, f=1MHZ | 4 | - | - | MHz |
| Capacidade de saída | Cob | VCB=10V, IE=0, f=0.1MHz | - | 21 | - | pF |
| Tempo de desligamento | tS | IB1=-IB2=1.6A, Tp=25μs | - | 1.9 | 2.5 | μs |
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Dispositivo de comutação de sinal | Amplificador de potência de alta velocidade | Peça de fornecimento de potência linear
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