Transistor planar de silício por difusão tripla NPN A8
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Este transistor planar de silício por difusão tripla NPN tem uma ampla gama de operação segura bem como uma pequena variação no tempo de armazenamento, e o diodo de roda livre é embutido. Este produto é adequado para balastro eletrónico, aplicações de comutação de potência de alta velocidade e alta tensão, etc.
Classificação máxima absoluta (TA=25℃)| Parâmetros | Simbolo | Valor | Unidade |
| Tensão de coletor base | VCBO | 700 | V |
| Tensão de coletor emissor | VCEO | 400 | V |
| Tensão de emissor base | VEBO | 12 | V |
| Corrente de coletor | IC | 4.0 | A |
| Corrente base | IB | 2.0 | A |
| Dissipação de potência total | Ptot | 30 | W |
| Temperatura de junção de operação máxima | TJ | 150 | ℃ |
| Temperatura de armazenamento | TSTG | -55 a 150 | ℃ |
| Parâmetros | Simbolo | Condições de teste | Min. | Tipo | Max. | Unidade |
| Corrente de corte do coletor | ICBO | VCE=700V, IE=0 | - | - | 100 | μA |
| Corrente de corte do emissor | IEBO | VEB=9V, IC=0 | - | - | 100 | μA |
| Tensão de suporte do coletor-emissor | VCEO(sus) | IC=5.0mA, IB=0 | 400 | - | - | V |
| Ganho de corrente DC | hFE(1) | VCE=5V, IC=10mA | 10 | - | - | |
| hFE(2) | VCE=5V, IC=2.0A | 8 | | 40 | | |
| Tensão de saturação de emissor -coletor | VCE(sat) | IC=1.0A, IB=0.2A | - | - | 1.0 | |
| IC=2.5A, IB=0.5A | - | | 1.5 | V | ||
| Tensão de saturação de emissor base | VBE(sat) | IC=1.0A, IB=0.2A | - | - | 1.2 | |
| IC=2.5A, IB=0.5A | | | 1.8 | V | ||
| Queda de tensão direta do diodo interno | Vf | IF=2.0A | - | - | 2.5 | V |
| Tempo de desligamento | tS | IB1= IB2=0.4A, TP=30μs | - | 2.0 | 4.0 | μs |
Nomes relacionados
MOSFET de canal N | Comutador de transitor de alta potência | Transistor de junção ascendente
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