Transistor de potência de silício complementar A1
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O transistor de potência de silício complementar pode ser dividido em duas partes. Embalado em caixa de metal, o uma parte é um transistor NPN planar de silício com base epitaxial, e destina-se para os circuitos de comutação de potência, reguladores de desvio e série, estágio de saída e amplificadores de fidelidade elevada.
Classificação máxima absoluta (TA=25℃)| Parâmetros | Simbolo | Valor | Unidade |
| Tensão de coletor base | VCBO | 100 | V |
| Tensão de coletor emissor | VCEO | 60 | V |
| Tensão de emissor base | VEBO | 7 | V |
| Corrente coletor | IC | 15 | A |
| Corrente base | IB | 7 | A |
| Dissipação de potência total | Ptot | 115 | W |
| Temperatura de junção de operação máxima | TJ | 150 | ℃ |
| Temperatura de armazenamento | TSTG | -40 to 150 | ℃ |
| Parâmetros | Simbolo | Condições de teste | Min. | Tipo | Max. | Unidade |
| Corrente de corte do coletor | ICEO | VCE=50V, IB=0 | - | - | 0.7 | mA |
| Corrente de corte do emissor | IEBO | VEB=7V, IC=0 | - | - | 5.0 | mA |
| Tensão de suporte do coletor-emissor | VCEO(sus) | IC=100mA, IB=0 | 60 | - | - | V |
| Ganho de corrente DC | hFE(1) | VCE=4.0V, IC=4.0A | 30 | - | 70 | - |
| hFE(2) | VCE=4.0V, IC=10A | 15 | - | | - | |
| Tensão de saturação do coletor –emissor | VCE(sat) | IC=4.0A, IB=400mA | - | - | 1.0 | V |
| IC=10A, IB=3.3A | - | - | 3.0 | |||
| Emissor base em tensão | VBE(on) | VCE=4V, IC=4.0A | - | - | 1.8 | V |
| Produto com largura da banda de corrente ganho | fT | VCE=4V, IC=500mA | - | 3.0 | | MHz |
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Transistor com efeito de campo| Unidade de amplificação de potência | Transistor de unijunção
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