Transistor de potência de silício complementar A2
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Caracteristicas
1. Como o nome indica, transistor de potência de silício complementar contém duas partes.
2. O uma parte é um transistor NPN planar de base epitaxial de silício, e o uma parte é o transistor PNP complementar.
3. Embalado em uma caixa de metal, este produto é designado para para os circuitos de comutação de potência, reguladores de desvio e série, estágio de saída e amplificadores de alta fidelidade.
| Parâmetros | Simbolo | Valor | Unidade |
| Tensão de coletor base | VCBO | 160 | V |
| Tensão de coletor emissor | VCEO | 140 | V |
| Tensão de emissor base | VEBO | 7 | V |
| Corrente coletor | IC | 16 | A |
| Corrente base | IB | 4 | A |
| Dissipação de potência total | Ptot | 150 | W |
| Temperatura de junção de operação máxima | TJ | 150 | ℃ |
| Temperatura de armazenamento | TSTG | -40 a 150 | ℃ |
| Parâmetros | Simbolo | Condições de teste | Min. | Tipo | Max. | Unidade |
| Corrente de corte do coletor | ICEO | VCE=50V, IB=0 | - | - | 10 | mA |
| Corrente de corte do emissor | IEBO | VEB=7V, IC=0 | - | - | 5.0 | mA |
| Tensão de suporte do coletor-emissor | VCEO(sus) | IC=200mA, IB=0 | 140 | - | - | V |
| Ganho de corrente DC | hFE(1) | VCE=4.0V, IC=8.0A | 15 | - | 60 | - |
| hFE(2) | VCE=4.0V, IC=16A | 5 | - | - | - | |
| hFE(3) | VCE=5.0V, IC=1.0A | 80 | - | 160 | - | |
| Tensão de saturação do coletor –emissor | VCE(sat) | IC=8.0A, IB=800mA | - | - | 1.4 | V |
| IC=16A, IB=3.2A | - | - | 4.0 | |||
| Emissor base em tensão | VBE(on) | VCE=4V, IC=8.0A | - | - | 2.2 | V |
| Produto com largura da banda de corrente ganho | fT | VCE=4V, IC=500mA | - | 3.0 | - | MHz |
Nomes relacionados
Transistor para finalidade geral | Dispositivo semicondutor de potência | Peça de comutação de alta velocidade
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