Transistor Darlington de potência de silício complementar A10
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O transistor Darlington de potência de silício complementar é adequado para amplificador linear e aplicações de comutação de potência. O uma parte é um transistor de potência NPN de base epitaxial de silício na configuração de Darlington monolítico e é instalado em uma embalagem de plástico, enquanto que uma parte é um transistor PNP complementar.
Classificação máxima absoluta (TA=25℃)| Parâmetros | Simbolo | Valor | Unidade |
| Tensão de coletor base | VCBO | 700 | V |
| Tensão de coletor emissor | VCEO | 400 | V |
| Tensão de emissor base | VEBO | 12 | V |
| Corrente de coletor | IC | 4.0 | A |
| Corrente base | IB | 2.0 | A |
| Dissipação de potência total | Ptot | 30 | W |
| Temperatura de junção de operação máxima | TJ | 150 | ℃ |
| Temperatura de armazenamento | TSTG | -55 a 150 | ℃ |
| Parâmetros | Simbolo | Condições de teste | Min. | Tipo | Max. | Unidade |
| Corrente de corte do coletor | ICEO | VCE=50V, IB=0 | - | - | 10 | μA |
| Corrente de corte do recetor | ICBO | VCB=100V, IE=0 | - | - | 10 | μA |
| Corrente de corte do emissor | IEBO | VEB=5V, IC=0 | - | - | 2.0 | mA |
| Tensão de suporte do emissor coletor | VCEO(sus) | IC=30mA, IB=0 | 100 | - | - | V |
| Ganho de corrente DC | hFE(1) | VCE=4V, IC=4.0A | 1000 | - | 12000 | |
| hFE(2) | VCE=4V, IC=8.0A | 100 | - | - | ||
| Tensão de saturação do emissor coletor | VCE(sat) | IC=4.0 A, IB=16mA | - | - | 2.0 | V |
| IC=8.0 A, IB=80mA | - | - | 4.0 | |||
| Base emissor em tensão | VBE(on) | VCE=4V, IC=4.0 A, | - | - | 2.8 | V |
Nomes relacionados
Transistor SMD | Amplificador de sinal eletrónico | Dispositivo de semi condução
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