Transistor de silício PNP A4
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O transistor de silício PNP se encaixa para aplicações de comutação e amplificadores de potência.
Classificação máxima absoluta (TA=25℃)| Parâmetros | Simbolo | Valor | Unidade |
| Tensão de coletor base | VCBO | -70 | V |
| Tensão de coletor emissor | VCEO | -60 | V |
| Tensão de emissor base | VEBO | -5 | V |
| Corrente coletor | IC | -5.0 | A |
| Corrente base | IB | -1.5 | A |
| Dissipação de potência total | Ptot | 25 | W |
| Temperatura de junção de operação máxima | TJ | 150 | ℃ |
| Temperatura de armazenamento | TSTG | -55 a 150 | ℃ |
| Parâmetros | Simbolo | Condições de teste | Min. | Tipo | Max. | Unidade |
| Corrente de corte do coletor | ICEO | VCE=-50V, IB=0 | - | - | -1.0 | μA |
| Corrente de corte do emissor | IEBO | VEB=-5.0V, IC=0 | - | - | -1.0 | μA |
| Tensão de suporte do coletor-emissor | VCEO(sus) | IC=-30mA, IB=0 | -60 | - | - | V |
| Ganho de corrente DC | hFE(1) | VCE=-5.0V, IC=-0.1A | 150 | - | 300 | - |
| hFE(2) | VCE=-5.0V, IC=-0.5A | 170 | - | 300 | - | |
| hFE(3) | VCE=-5.0V, IC=-0.1A | 150 | - | 300 | - | |
| Tensão de saturação do coletor –emissor | VCE(sat) | IC=-3.0A, IB=-0.3A | - | - | -0.8 | V |
| IC=-5.0A, IB=-0.5mA | - | - | -1.0 | V | ||
| Emissor base em tensão | VBE(on) | IC=-3.0A, IB=-0.3A | - | - | -1.7 | V |
| Produto com largura da banda de ganho de corrente | fT | VCE=-4V, IC=-1.0A | 10 | - | - | MHz |
| Capacidade de saída do coletor | Cob | VCB=-10V, IE=0,f=1MHz | - | 170 | - | pF |
| Tempo de armazenamento | tS | -IB1=IB2=0.15A | - | 1.0 | - | μs |
Nomes relacionados
MOSFET de canal em P| Eletrónicos PNP | Transistor digital
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